Nguồn Plasma RF – Dòng ICP công suất cao

Thông số kỹ thuật chính Thông số Model 1 Wafer Model 2 Wafer Công suất RF 1000W 1000W Công suất BIAS 600W (tùy chọn) 600W (tùy chọn) Kích thước wafer xử lý 4~8 inch 4~8 inch Số lượng wafer xử lý/lượt 1 2 Kích thước thiết bị (DxRxC) 1080 x 1840 x 1800 mm 1340 x 2050 x 1800 mm Điều khiển Hệ thống điều khiển công nghiệp Hệ thống điều khiển công nghiệp Đặc điểm nổi bật Tự động hóa cao: Tích hợp nền tảng nạp wafer tự động, hỗ trợ đồng thời 4 đĩa thạch anh. Hiệu suất bóc tách cao: Ứng dụng plasma mật độ cao giúp tăng tốc độ xử lý. Độ ổn định quy trình: Đảm bảo tái lập kết quả sau mỗi lần xử lý plasma. Plasma từ xa: Giảm thiểu tổn hại ion lên bề mặt wafer nhờ thiết kế buồng plasma từ xa. Phần mềm độc quyền: Giao diện trực quan, hiển thị quá trình xử lý bằng hoạt họa, đầy đủ dữ liệu và báo cáo. Kiểm soát chính xác: Điều chỉnh áp suất và nhiệt độ linh hoạt qua van bướm chuyên dụng. An toàn sản phẩm: Plasma năng lượng thấp giúp hạn chế tác động nhiệt và điện lên bề mặt vật liệu. Hậu mãi chuyên nghiệp: Hỗ trợ kỹ thuật nhanh chóng, linh kiện thay thế sẵn có. Kiểm soát bụi: Đáp ứng tiêu chuẩn kỹ thuật nghiêm ngặt theo yêu cầu ứng dụng. Phát triển nội địa: Hơn 30% đội ngũ là R&D, các linh kiện lõi được thiết kế và sản xuất độc lập, giảm rủi ro gián đoạn chuỗi cung ứng.